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南京郵電大學(xué)Qiang Zhao、Jianmin Li團(tuán)隊(duì)聯(lián)合南京理工大學(xué)Jing Bian團(tuán)隊(duì)--MXene基在有機(jī)電解質(zhì)中電化學(xué)調(diào)控微波開(kāi)關(guān)器件
       日益復(fù)雜的電磁 (EM) 環(huán)境需要先進(jìn)的電可控電磁干擾 (EMI) 屏蔽材料,以適應(yīng)不同的 EM 條件。提出了一種基于超薄Ti3C2Tx MXene薄膜的柔性電化學(xué)可調(diào)諧EMI屏蔽器件。該器件利用Ti3C2Tx在電化學(xué)過(guò)程中充電狀態(tài)和表面化學(xué)的轉(zhuǎn)變,實(shí)現(xiàn)了顯著的EMI屏蔽切換。在0.1 V到-1.5 V的電壓驅(qū)動(dòng)下,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)18.9至26.2 dB的可逆屏蔽效果調(diào)制。研究還發(fā)現(xiàn),Ti3C2Tx納米片的尺寸對(duì)器件的屏蔽調(diào)制能力具有重要影響,較小的片徑尺寸能夠提供更高的吸收調(diào)制能力,從而使器件具備良好的可設(shè)計(jì)性。通過(guò)與Salisbury屏幕和雙層諧振腔結(jié)構(gòu)結(jié)合,該團(tuán)隊(duì)還實(shí)現(xiàn)了可調(diào)反射抑制比高達(dá)32 dB的動(dòng)態(tài)偽裝表面,以及以吸收為主(超過(guò)90%)的微波響應(yīng)開(kāi)關(guān)。該研究為復(fù)雜未來(lái)環(huán)境中的電子保護(hù)和主動(dòng)偽裝提供了有效且多功能的解決方案。
 

Fig 1. Ti3C2Tx 薄膜電極的制備和微波表征。a) Ti3C2Tx 薄膜制備過(guò)程的示意圖。b) 在 X 波段具有不同 Rs 的 Ti3C2Tx 薄膜的 EMI SE 值。c) 具有不同 Rs 的 Ti3C2Tx 薄膜的反射效能 (SER) 和吸收效能 (SEA) 值,其中 SER 和 SEA 之和等于總 SE。d) 計(jì)算 X 波段具有不同 Rs 的 Ti3C2Tx 薄膜的反射率、吸收率和透射率。

 
Fig 2. Ti3C2Tx 基電化學(xué)開(kāi)關(guān)器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和 EMW 響應(yīng)行為。a) 基于平行金屬和 Ti3C2Tx 電極的可調(diào)諧 EMI 屏蔽器件示意圖。b) 制造的可調(diào)諧 EMI 屏蔽器件的數(shù)字圖像。c) 用于可調(diào)諧 EMI 屏蔽的電化學(xué)驅(qū)動(dòng)過(guò)程的示意圖。d) 在恒壓條件下,具有不同 Rs 的 Ti3C2Tx 電極的 EMI SE 調(diào)制范圍。e) 循環(huán)伏安測(cè)試期間 15 Ω sq−1 Ti3C2Tx 薄膜電極的實(shí)時(shí) EMI SE 與電位的關(guān)系。f) 在循環(huán)伏安法測(cè)試期間,15 Ω sq−1 Ti3C2Tx 電極提取的 EMW 反射和吸收的原位變化。
 
 
Fig 3. S-Ti3C2Tx 薄膜的電可調(diào) EMI 屏蔽特性。a) Ti3C2Tx 的薄片尺寸隨超聲處理持續(xù)時(shí)間的變化。b) 在恒定電位下 Rs 變化的 S-Ti3C2Tx 電極的 EMI SE 最大調(diào)制幅度。c) S-Ti3C2Tx 薄膜電極的電化學(xué)原位 EMI SE 測(cè)量。d) S-Ti3C2Tx 電極在施加電位下的反射和吸收特性的演變。
 
 
Fig 4. Ti3C2Tx 在電化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中可調(diào) EMW 響應(yīng)的機(jī)理研究。a) L-Ti3C2Tx 和 S-Ti3C2Tx 電極電解質(zhì)浸潤(rùn)前后的 XRD 分析。b) 電解質(zhì)滲入 Ti3C2Tx 片材的示意圖。c) 在 CV 期間由源表測(cè)量的原位電阻與電位的關(guān)系圖。d) 在循環(huán)過(guò)程中對(duì)不同電位的 Ti3C2Tx 薄膜進(jìn)行原位 XRD 分析。e) Ti3C2Tx-電解質(zhì)界面處電化學(xué)驅(qū)動(dòng)響應(yīng)機(jī)制的示意圖。
 

Fig 5. 基于 Ti3C2Tx 的可切換 EMW 吸收系統(tǒng)。a) Ti3C2Tx 基盾牌與索爾茲伯里屏幕相結(jié)合的動(dòng)態(tài)偽裝表面示意圖。b) 不同 Rs 的 S-Ti3C2Tx 薄膜與 Salisbury 屏幕結(jié)合的平均反射和吸收。c) 500 Ω sq-1 S-Ti3C2Tx 基屏蔽層與不同電位的索爾茲伯里屏蔽層相結(jié)合的 2D 反射抑制圖,其中彩條表示反射強(qiáng)度。d) 兩個(gè)基于 Ti3C2Tx 的屏蔽層與諧振腔 (TCT) 相結(jié)合,用于吸收 EMI SE 調(diào)制的示意圖。e) X 波段初始 SER 和 IML、RL 和 TCT 吸收的比較。f) TCT 器件的電位相關(guān) EMI SE 和反射吸收組成。
 
       相關(guān)研究工作由南京郵電大學(xué)Qiang Zhao、Jianmin Li團(tuán)隊(duì)聯(lián)合南京理工大學(xué)Jing Bian團(tuán)隊(duì)于2024年在線發(fā)表在《Advanced Materials》期刊上,Electrochemically-Switched Microwave Response of MXene in Organic Electrolyte,原文鏈接:https://doi.org/10.1002/adma.202413311

轉(zhuǎn)自《石墨烯研究》公眾號(hào)
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